Mitsubishi Electric dobra investimentos previstos na sua estratégia quinquenal
03.05.2023
A Mitsubishi Electric Corporation anunciou que está dobrando o investimento previsto no plano quinquenal que se encerra em março de 2026, chegando ao valor de 260 bilhões de ienes. A maior parte desse investimento será direcionada para a construção de uma nova fábrica, visando aumentar a produção de semicondutores de potência de carboneto de silício (SiC).
Com a nova planta, a Mitsubishi Electric pretende atender à crescente demanda por semicondutores de potência SiC para uso em veículos elétricos, além de expandir para mercados com novas aplicações que demandam, por exemplo, alta eficiência energética, operação em alta temperatura ou comutação em alta velocidade.
A nova instalação também permitirá que a Mitsubishi Electric contribua para a tendência global de adotar processos produtivos sustentáveis, com maior eficiência energética e descarbonização.
Produção aprimorada
Grande parte do aumento do investimento, cerca de 100 bilhões de ienes, será direcionado para a construção da nova fábrica de wafer SiC de 8 polegadas e aprimorar as instalações de produção.
A nova fábrica, que irá incorporar uma instalação já existente na área de Shisui, na província de Kumamoto, produzirá wafers SiC de 8 polegadas, contando com uma sala limpa com eficiência energética de ponta e produção automatizada de alto nível. Além disso, a empresa aprimorará suas instalações de produção de wafers SiC de 6 polegadas para atender à crescente demanda neste setor.
A nova fábrica deverá entrar em funcionamento em abril de 2026, e contará com tecnologias de última geração para economia de energia, utilizando equipamentos de última geração no seu sistema de ar condicionado e, também, sistemas de reaproveitamento de calor, entre outros. Além disso, a instalação contará com medidas de isolamento sísmico em todos os andares, garantindo a continuidade do negócio.
